PLS чітко сумніви моїй пам'яті дизайну

[ananish]

Мій проект знаходиться на LOW POWER ПРОЕКТУВАННЯ SRAM.Для правильного функціонування SRAM МИ відрегулювати розмір транзисторів.Мої основні сумніви

1.Чи достатньо регулювати ширину у файлі моделі в тому, що We R даний час використовується для всіх інших транзисторів.

2.І чи маємо ми використовувати іншу модель, що мають необхідну ширину.

3.Чи є інші параметри, які повинні бути змінювалися разом з шириною.Мій проект приділяє основну увагу скорочення витоків у SRAM.PLEASE Clear My CONFUSIONS.THANKS ЗАЗДАЛЕГІДЬ.

 

[Guest]

привіт,

в першу чергу, якщо і хочуть змінити модель файл, який містить параметрів моделі, які витягуються з них Fab процес, ніж симуляція буде порушена.

але у можете змінювати розміри транзисторів, якщо і потрібно змінити.

сподіваюся, що це допоможе

 

[Nitu]

Привіт ..
Ваш запит не ясно.
Але зміни в моделі wdith файл не може допомогти вам у разі якщо ви використовуєте деяке Netlist значень і що проходять через цей Netlist в файл моделі ..
Будь ласка, вкажіть, як за допомогою моделей?
Для скорочення витоку також можна змінювати довжину транзистор ..

 

[semi_jl]

Я вважаю ви повинні змінити longth разом з шириною до відповідного значення, крім того, ви повинні змінити все транзисторів шириною пропорційній основі.
Я отримав цю інформацію з книги, як посилання!

 

[fiquran]

Хм, все не так просто мій друг, а також зміни ширини не є єдиним параметром тут.Ви кажете, що в даний час зосереджена на струм витоку, але якщо ми також не вважаємо за ліквідацію харчуванням через невдачу шляхом усунення падіння напруги і Е.М., є інший ефект, що сприяє загальній розсіює потужність, динамічні сили.Ви повинні, напевно, знаєте ці концепції, але тільки в тому випадку, динамічна сила виникає, коли транзистор вимикачі державою і в зв'язку з ємнісного заряду і розряду в той час як витік влади виникає з-за витоку струму, що протікає через транзистор.

Оскільки ви зараз зосереджені на витік ефектом, відпускає з нею.Тут погані новини

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_sad.gif" alt="Сумний" border="0" />

Струм витоку навіть може споживати енергію в режимі очікування або сплячий режими роботи.Крім того, з кожним кроком вниз в процесі геометрія, струм витоку в більш-менш в два рази величину, а саме по 90-нанометровій виробничої технології, влада сприяє витоку від 40 до 50 відсотків від загального бюджету влади, з активним розсіювання потужності від перемикання транзисторів становлять решту .

Тепер можна сказати, що ви збільшите ширину заради зменшення наслідків витоку, але після збільшення ширини, пристрій також збільшити порогові.Вам буде потрібна висока вимоги напруга живлення, і, що приведе збільшення динамічного розсіює потужність!

Ну, actaully, що я кажу про це, а не на ширину і матеріал, подивитися на картину в цілому, подивитися на систему в цілому.є деякі компроміси, щоб розглянути тут.

 

[abhi_123]

Привіт,
Ось мої відповіді:
T 1.Don 'регулювання ширини у файлі моделі.
З файлу SPICE при умові, що Fab цілому не має нічого.комбінації транзисторів шириною, які можуть бути виготовлені, вони дають sumthg як WMax для Л.
N будь-якому разі не всі транзистора у вашому SRAM матиме такий самий W, змінивши файл моделі не буде робити у будь-якого доброго.
2.this питання залежить від того, який рівень ур використання в даний час.
3.n Так, багато параметрів змінюються при W змін.

N удачі витоку питання скорочення.