>

[vbhupendra]

Ват є виразом Рон в області насичення?або як обчислити його в область насичення?

 

[Guest]

Я не думаю, що область насичення може бути розрахований.β транзисторів змінюються так багато ...Ви повинні побачити V VCE / с Ic ділянки для визначення бази поточної вартості вирішити область насичення.

 

[suria3]

Привіт,

Pls визначити Рона MOS або BJT.Рон і ефективного вихідного опору MOS може бути обчислена шляхом побудови Ідентифікатори проти Vds кривої.Крива на графіку зі зворотним дасть вам Рон насичення.За формулою Рон = 1 / λIds.

Спасибі,
Сурія

 

[surianova]

suria3 пише:

Привіт,Pls визначити Рона MOS або BJT.
Рон і ефективного вихідного опору MOS може бути обчислена шляхом побудови Ідентифікатори проти Vds кривої.
Крива на графіку зі зворотним дасть вам Рон насичення.
За формулою Рон = 1 / λIds.Спасибі,

Сурія

 

[suria3]

Привіт Surianova,

Як ви сказали, в області насичення струму, Ідентифікатори буде постійним навіть для зміни Vds, але, оскільки існування нетривалий ефект каналу / лямбда-ефект, так чи інакше ви не будете плоскої кривої.Таким чином, величина Рон може бути вимірювані як я вже говорив.Інші думки вітаються.Поправте мене, якщо їм неправильно.Завдяки Surianova.Схилу, який дає, λ = 1/Ids * ΔIds / ΔVds.Таким чином, я думаю, як тільки ми отримаємо значення нахилу якої λ, ми можемо обчислити Рон = 1/λIds знаючи ідентифікатори струму.

Спасибі,
Сурія

 

[rjshmadala]

Привіт Suria3,

Рівняння (Рон = 1/λIds), у дали справедливо, якщо ми вважаємо, довжина каналу модуляції. (IE), коли опір pinchoff occurs.at pinchoff струм стоку більше, ніж у насичення. Тому я думаю, ур заяву на опір при насиченні є неприпустимим.і Morever символ U використовується не corect.U слід використовувати (RON) замість (Рон)

З повагою
Raj