швидкість насичення після пінча Off??

[Willt]

Привіт друзі,

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_biggrin.gif" alt="Дуже веселий" border="0" />На даний момент я вчуся довжини каналу модуляції (CLM), в
MOSFET.Простіше кажучи, при п-каналу транзистора в
області насичення і Vds збільшується з фіксованою VGS, Id збільшується
лінійно через ПММ.Це тому, що область глибині виснаження
зворотного зміщення діода через стоку і підкладки отримує
все більше і більше з збільшенням Vds, викликаючи короткі ефективної
довжина ~ Лефф = 1 / (1 * Lamda VDS).

Мої питання:
(1) Як ефективна довжина транзистора зменшується, чи буде це причиною швидкість насичення?

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_question.gif" alt="Питання" border="0" />(2) Якщо так, то це, у свою чергу зробити Id постійним при збільшенні Vds, що в силу швидкість насичення компенсує вплив каналу модуляції довжини?

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_question.gif" alt="Питання" border="0" />Джерело довжина модуляції: Id збільшується ство Лефф зменшується =>
більше електричного поля (критичнішою напруженості електричного поля) =>
зменшується рухливість (швидкість насичення) => зменшується Id =>
Загальний ефект: Id підтримує постійний

Будь-які коментарі будуть дуже корисні для ~

Уілл

 

[bilalkadri]

привіт,

Швидкість насичення відбувається як у довгостроковій каналів і пристроїв з каналу.ми в епоху коротких devics каналу (функція розмір ≤ 1um).швидкість насичення відбувається набагато раніше, ніж очікувалося, як з дрібкою E (критичний) між витоку і стоку встановлюються на дуже низькому VDS.E = ду / ДХ

Таким чином, звичайна довжина каналу модуляції концепція може бути не зовсім доречно, в короткий устрою каналу, як це зазначено в книгах довго устрою каналу.