Дозвольте мені пояснення: По-перше, транзистор поодинці не може виступати в якості підсилювача. Він діє як свого роду аналог воріт: контроль напруги регулює кількість струм, що протікає через одиницю (з колектора на емітер або стікати на джерело). Цей струм обумовлений suplly напруги. Існує не підсилює ефект, тому що керуюча напруга (B_E або G_S, відповідно) тільки контроль струму. Тепер - коли цей струм протікає через зовнішній резистор, що є достатньо великим, напруга може бути створений через цей резистор, який більше, ніж вхід (контроль) напруги. Це `S секрет посилення. Чи допомагає це? [COLOR = Срібний] [SIZE = 1 ]---------- Поштові додали в 21:33 ---------- Попереднє повідомлення було о 21:15 --- -------[/SIZE] [/COLOR] Нарешті, для роз'яснення цілей: базовий струм БЮТ не контролює струм колектора. Навпаки, його можна розглядати як "паразитні" струм, який не може бути попереджено. Це велика перевага FET: він "уникає" таких вхідного струму. Термін "посилення струму" не має фізичного сенсу. Це лише відображає той факт, що обидва колектора і струм бази мають відношення, що складає приблизно фіксованою. До речі, ця тема обговорювалася кілька разів на цьому форумі.