Opamp конденсатор питання

J

jacksimonbirch

Guest
Привіт,

Я займаюся дизайном простий операціоннікі яка 5pF конденсатора.Я використовую розташування бібліотеки, які доступні в gpdk446 бібліотеки.Результаті 5pF конденсатора насправді "BIG", більше, ніж весь ланцюг 100 і більше разів.Я знаю, що ємність макет може бути менше, з використанням різних конструкційних змін, наприклад полі-poly2, хоча gpdk446 НЕ poly2.Таким чином, я ніби застряг.

Чи є взагалі зробити макет capaciot менше, використовуючи бібліотеку в мене?

спасибі

 
Ви можете використовувати кришки міс.
Це говорить про те, короткий SD як один термінал, ворота в якості ще одного термінала.Переконайтеся в тому, що | VGS | набагато менше | Вт |.

 
Використання N-і n-МОП, як кришка

 
Kyrandia пише:

Використання N-і n-МОП, як кришка
 
Привіт

Що це означає N-і n-МОП?На мій здоровий глузд, то як правило, буде МОП в N-а.Навіть якщо це в три рази добре, це ще так actuall.

Будь ласка, поправте мене, якщо я помиляюся.Спасибі.

З повагою,
jordan76

 
sunking пише:

Ви можете використовувати кришки міс.

Це говорить про те, короткий SD як один термінал, ворота в якості ще одного термінала.
Переконайтеся в тому, що | VGS | набагато менше | Вт |.
 
jordan76 пише:

ПривітЩо це означає N-і n-МОП?
На мій здоровий глузд, то як правило, буде МОП в N-а.
Навіть якщо це в три рази добре, це ще так actuall.Будь ласка, поправте мене, якщо я помиляюся.
Завдяки.З повагою,

jordan76
 
Хаджес,

Чи можете ви пояснити докладно про ємності під час накопичення і такий процес, а не могли б ви розповісти мені, як підключити 4 термінали при використанні таких Nwell NMOS?

Мене бентежить про такому пристрої.

Спасибі

 
Макета і перетин зору шоу у доданому малюнку.Оскільки S / D і канал все п-типу, термінал B не обов'язково повинен бути звернене в явному вигляді.

 
Ви можете використовувати МІМ capasistor.

 
Селвараджа пише:

Ви можете використовувати МІМ capasistor.
 
MiM є вихідним для метал-діелектрик-метал.Може бути, MMC є метал-метал конденсаторів.Тоді вони те ж саме.Одиниці ємності MiM шапку в змішаних сигналів технології становить близько 1fF/um [SUP] 2 [/] SUP.Хоча це значення менше, ніж у кришки MOS, це набагато більше, ніж у конденсатора формуються за рахунок маршрутизації металевих шарів.MiM кришка має мінімальні паразитичні опору.Але це вимагає змішаних сигналів процесу варіантом, оскільки кришка PiP робить.

 
Ви можете refere на "CMOS аналогових ланцюгів дизайн"
Page 83 до 85

Книгу можна завантажити у цьому розділі.

 
У схемі дизайн CMOS аналогових, Page 44 до Page47 ввести більш шапки, яку ви можете використовувати

 
Іноді вам потрібно використовувати МОП, оскільки основна частина нормального NMOS повинні бути підключені до землі завжди.

 
rtpq пише:

Іноді вам потрібно використовувати МОП, оскільки основна частина нормального NMOS повинні бути підключені до землі завжди.
 
На мій погляд, нам необхідно розглянути полярності кришку МОП.G термінал повинен бути підключений до відносної меншою напругою.

 
You must log in or register to reply here.

Welcome to EDABoard.com

Sponsor

Back
Top