I / O проти транзистор транзистор Analog

[jimway]

Може I / O транзистор бути використані для створення схем?У чому різниця між I / O транзисторів та аналогових один.

 

[jfyan]

jimway пише:

Може I / O транзистор бути використані для створення схем?
У чому різниця між I / O транзисторів та аналогових один.

 

[jimway]

Я поклав havn't ясно.
Наступні зауваження наведені в БСІМ моделі файлу:
Поради: вимірювання і параметр установки в діапазоні напруг:
*
* | VDS | = 0 ...2,5 (10%) V: аналоговому режимі
* | VDS | = 0 ...3,3 (10%) V: Ю режимі
* | VGS | = 0 ...2,5 (10%) V: аналоговому режимі
* | VGS | = 0 ...3,3 (10%) V: Ю режимі
* | VBS | = 0 ...2,2 V

Accually цих двох режимах використовуються для опису тієї ж MOSFET.
Чи може це транзистор бути використані для досягнення схеми з 3.3V напруги живлення?

 

[tekno1]

Відповіді jfyan є правильним.Normaly є товстий воріт азоту для пристроїв введення / виведення, оскільки вони бачать 3.3V [і тут, I / O також може означати аналогових I / O, а також цифрового вводу / виводу].

У вашому випадку з Vds і VGS визначається за тим же транзистор Я можу тільки припустити, що коли вони говорять, вони мають на увазі аналогових транзисторів в основному в області насичення [Vds> = (VGS-Vt)], де час життя транзисторів скорочуватися через високі полів між стоком і витоком, і в результаті іонізації деградації впливу.За I / O (у даному випадку означає цифрового введення / виводу тільки) транзистори використовуються як перемикачів і проходить через область насичення тільки дуже короткий час при перемиканні (низьке навантаження), тому термін служби скорочується транзистора набагато менше і транзистори можуть бути використані на більш високих 3,3 В розумний термін життя (за умови, що ворота розбивка дозволяє працювати 3.3V).

 

[laglead]

немає ніякої різниці, за винятком ма транзисторів потрібна схема Удосконалення

 

[hackjiang]

Техніка поліпшення.

 

[Guest]

I / O транзистора є основною для I / O здатність диска.
Analog transisor піклуватися про ГМ високим коефіцієнтом підсилення.

Розширений процес не забезпечує високий коефіцієнт посилення I / O транзисторів для аналогових схемних рішень.

 

[williamy]

У макетування, I / O transisitor повинні бути добре продуманими, особливо в області стоку

 

[jeepx5]

Вона повинна бути різниця ОУР!I / O міс буде мати захист ОУР!

 

[bigbro]

Існує ніякої різниці спецій моделі.
Але деякі прохання пиво виробництва IO MOS транзистор довжини для ОУР.
Крім того, є багато різних правило дизайн макета боку.