3 і 4 термінальних пристроїв у каденцію

[maninnet]

в cadeence NCSU CDK, Є три термінальних пристроїв (NMOS і до роботи ПМ) і чотири термінальних пристроїв (NMOS4 і PMOS 4), за замовчуванням, у трьох термінальних пристроїв, тіло пов'язане з GND для NMOS і VDD для ПМ. якщо я використовую чотири термінальних пристроїв, і краватку тіло NMOS4 і PMOS4 до GND і VDD відповідно, це еквівалентно використанню три пристрої терміналу? сподіваюся, хто може поділитися своїм досвідом

 

[aryajur]

Це еквівалентно з бібліотеки я використав. Не використав NCSU CDK хоча, але це має бути просто достатньо, щоб підтвердити, переглянувши список з'єднань.

 

[A.Anand Srinivasan]

я правда ... вона лише краще, коли ви збираєтеся уникнути тіла тому, що це все ... економить трохи часу ....

 

[maninnet]

до aryajur: як підтвердити "Перегляд списку з'єднань"? Не могли б ви показати мені?

 

[aryajur]

У Художник аналогового вікна є можливість перегляду списку з'єднань. У списку з'єднань можна побачити, як кожен пристрій netlisted, і те, що модель його використання, ви можете порівняти його для обох і подивитися, якщо все ж таки чи ні.

 

[hung_wai_ming@hotmail.com]

Маючи чотири термінали для пристрою відбувається тому, що у вас є шанс, щоб зв'язатися тіла, крім VDD або VSS, за замовчуванням, щоб уникнути ефекту тіла, коли ви каскодне двох пристроїв або використовувати його в якості вхідних пари в ОУ. Це те ж саме, якщо ви підключіть його до VDD і VSS, як три термінальних пристроїв. Існує не потрібно, щоб перевірити список з'єднань, і це цілком впевнений,

 

[maninnet]

до [електронної пошти] hung_wai_ming@hotmail.com [/] електронній пошті: Я спочатку використовувати три пристрої терміналу, але коли я замінити їх з 4 термінальний пристрій (за всіма джерелами NMOS зв'язок з GND, і джерело ПМ зв'язок з VDD), я зробив не отримати той же результат (новий не працює), тому я задати таке питання.

 

[A.Anand Srinivasan]

спробуйте моделювання характеристики 3 та 4 пристрої терміналу окремо в деяких підсилювача конфігурації і, можливо, ви могли б знати різницю і, отже, причиною відхилення ,,,....

 

[maninnet]

Я SIM DC з NMOS пристрої, результат (постійний струм) трохи відрізняється, будь ласка, перевірте картинку для схеми і список з'єднань. [URL = http://images.elektroda.net/15_1193526056.gif]

[/URL]

 

[aryajur]

Єдина відмінність в список сполук є GND! вузол у одному транзисторі. Я не знаю, як це GND! підключені до вузла 0. Вона повинна бути такою ж, якщо вона є, здається, не буде ніякої причини, чому DC характеристики різні. Справа в тому, щоб дослідити як і земля! і 0 чи пов'язані символ GND зробити це прямо чи є що-то ми не знаємо.

 

[A.Anand Srinivasan]

каденції займає деяке значення опору проводу ... спробуйте пограти з ним і подивитися, чи є які-небудь зміни в Id ....

 

[maninnet]

"Займає деяке значення опору проводу ... спробуйте пограти з ним", але як?

 

[A.Anand Srinivasan]

Я пам'ятаю Seein його в таблиці властивостей ..... Я не пам'ятаю точних кроків ..... Якщо я піду в мою лабораторію коледжу будь-який з цих днів я відправлю точні кроки .....