1 / F шум PMOS і NMOS

[hmsheng]

Чому вважається, що прилади PMOS експонат менше 1 / F шум, ніж NMOS транзистори?

 

[roadbuster]

hmsheng писав:

Чому вважається, що прилади PMOS експонат менше 1 / F шум, ніж NMOS транзистори?

 

[Freelancer]

1 / F шум з-за стану suface з кремнію SiO2 поверхні, такі, як careier електронів та дірок випадковим чином розкидані по suface держав, таких, як відокремлений bonds.etc.З отвори транспорт occures глибше в канал в порівнянні з електронними, так що отвори менш схильні до впливу з боку suface states.and так PMOS має менше 1 / F шум, ніж NMOS.

 

[safwatonline]

Це не загальний випадок, іноді PMOS гірше (тобто процес залежить)

 

[mitrobge]

I / F шуму назад пропорційна WL.Збільшення WL зменшує фліккер шум.Чи є які-небудь інші методи для вирішення цієї проблеми?
Наскільки точними є тренажери щодо шуму на дуже низьких частотах поблизу DC?

 

[roadbuster]

mitrobge писав:

I / F шуму назад пропорційна WL.
Збільшення WL зменшує фліккер шум.
Чи є які-небудь інші методи для вирішення цієї проблеми?

 

[mitrobge]

Для мене представляє інтерес діапазоні від постійного струму до 1 кГц для сигма-дельта DAC.Чи вважаєте ви, що фліккер шум буде мати вирішальне значення для виконання схем (включений конденсатор архітектури після фільтрації).

 

[jecyhale]

hmsheng писав:

Чому вважається, що прилади PMOS експонат менше 1 / F шум, ніж NMOS транзистори?

 

[semiartist]

Подрібнення та автоматичне обнуління корисні методи для обробки 1 / F шум в ланцюзі підсилювача (посилання).

Привіт roadbuster,
Я не можу отримати доступ до посилання,
не могли б Ви,
будь ласка, дай мені посилання другу чи відправити його на адресу електронної пошти?
адреса електронної пошти: semiartist (AT) yahoo.com, спасибо!

BR,
Алекс

 

[jecyhale]

roadbuster писав:hmsheng писав:

Чому вважається, що прилади PMOS експонат менше 1 / F шум, ніж NMOS транзистори?

 

[viyag]

але в 1 / F шум частота може сягати кількох МГц або вище.

 

[spminn]

Крім фізики основі причини, існує також той факт, що pMOS транзистори, як правило, розміром більше, ніж nMOS транзисторів.Починаючи з 1 / F шум залежить від площі воріт, він менше pMOS транзистора у порівнянні зі nMOS транзистор з тим же transconductance / струм.