чому це забороненої зони залежить від температури серйозно?

[jake]

Хто може сказати мені, чому це напруга забороненої зони залежить від температури серйозно? Тобто, при кімнатній температурі, ширина забороненої зони вихідного напруги 1.2074v, однак, при 80 ° C Вихідна напруга 2.1099v. Ось, деякі транзистори роботи ненормально.

 

[Btrend]

RU, що N1 і N3 знаходяться в тому ж потенціал в ур CKT? в забороненій зоні проектування, генерації PTAT формується Vbe1 = Vbe2 + Iptat * R, але я не бачу, нехай U = vn1 VN3.

 

[Fom]

Ваша схема нерозбірливо. Я не можу визнати Розміри деяких 6U МОП-транзистори або 8і. Де твій вихідний? VREF? Але якщо ваш R2 г = 0, як можна отримати 1.2V. Слід тільки VBE в Q1 PNP. Для R1 т =???.

 

[lijun_sun]

я думаю, що ви не знайшли кращої точки BG.

 

[bamboo]

Джейк, як Btrend ASID, я думаю, ви повинні перевірити, якщо VN1 = VN3 у вашій схемі. І у вашій схемі, НПМ-1 і НПМ-2 мають однакову W / L ставлення, але один з них помічений як 30uA та інші відмічені 2,5 мкА? Це не resonable для мене.

 

[jake]

Привіт Btrend, я знаю, що N1 і N3 повинні в той же потенціал, і я переконатися в цьому каскодной підсилювач, вони в той же потенціал, просто 0.3mv різницю між ними. Я вважаю, струми в MPB1 і MPB2 збільшується із зростанням температури серйозно, то чому? ФОМ привіт, Вибачте, я викладання ланцюга. Так, мій вихід Vref, і резистори не рівні нулю, вони rnwsti резисторів TSMC. Розмір не буде відображатися. Привіт lijun_sun, Ви думаєте, де найкраще точку Б. в моїй схемі?

 

[jake]

[Цитата = бамбука] Джейк, як Btrend ASID, я думаю, ви повинні перевірити, якщо VN1 = VN3 у вашій схемі. І у вашій схемі, НПМ-1 і НПМ-2 мають однакову W / L ставлення, але один з них помічений як 30uA та інші відмічені 2,5 мкА? Це не resonable для мене. [/ Цитата] Шановні бамбука, Вибачте за illegibile ланцюга, будь ласка, подивіться на нову unpload один. І ця структура є похідним від attechment паперу.

 

[bamboo]

Дорогий Джейк, на основі паперу, VBG = Vbe2 + N (R2/R1) LN [M (N +1)] * Вт У вашій схемі R2/R1 = 7.4, N = 1. Таким чином, ви повинні дозволити M буде близько 16, щоб отримати нульовий температурний коефіцієнт. коли Vbe2 має тимчасовий коефіцієнт-2.2mV / С і V, має 0,085 мВ / С, так як я не бачив ставлення біполярних в ланцюзі. Може бути, ви повинні перевірити його першого

 

[Btrend]

[Цитата] Я вважаю, струми в MPB1 і MPB2 збільшується із зростанням температури серйозно, то чому? [/ Цитата] Бо, як підвищення температури => VBE зниження => Vgs з MPB1 зростає => Impb1 росте Але як серйозна ситуація зі зіткнулися? 30uA до 300uA!?

 

[jake]

[Цитата = бамбука] Дорогий Джейк, на основі паперу, VBG = Vbe2 + N (R2/R1) LN [M (N +1)] * Вт У вашій схемі R2/R1 = 7.4, N = 1. Таким чином, ви повинні дозволити M буде близько 16, щоб отримати нульовий температурний коефіцієнт. коли Vbe2 має тимчасовий коефіцієнт-2.2mV / С і V, має 0,085 мВ / С, так як я не бачив ставлення біполярних в ланцюзі. Може бути, ви повинні перевірити його перший [/ цитата] Шановні бамбука, Насправді температура coefficent Vbe2 є просто-1.89mV / С, не-2.2mV / C в моєму випадку. отже, М = 8, чи не так? Це може стати нульовим температурним коефіцієнтом.

 

[Fom]

Давайте порахуємо N (R2/R1) LN [M (N +1)] * Vt = 1 * [(185/250) п (8 * 2)] * Vt = 2,05 * Вт Температурний коефіцієнт 2,05 * 0.085mV / C = 0,1744 мВ / C. Але температурний коефіцієнт Vbe2 є 1.89mV-/ C. На порядок вище!

 

[ambreesh]

Я вважаю, що ви бачите стан Вашого транзистора (МОП) whoes воріт підключений до землі біля N7. Коли я намагався impement ж, це був просто божевільним, щоб отримати транзистор M6 (як зазначено в статті), щоб залишитися в насичення. Я відправив автори також, щодо воріт підключення M6 з проханням, якщо це необхідно змінного землю. Але відповіді не Node6 в газеті повинні сісти за VtM9 + фон. Node5 potentila вирішується ворота M6, тому було б VtM6 + VonM6

 

[jake]

[Цитата = ambreesh] Я вважаю, що ви бачите стан Вашого транзистора (МОП) whoes воріт підключений до землі біля N7. Коли я намагався impement ж, це був просто божевільним, щоб отримати транзистор M6 (як зазначено в статті), щоб залишитися в насичення. Я відправив автори також, щодо воріт підключення M6 з проханням, якщо це необхідно змінного землю. Але відповіді не Node6 в газеті повинні сісти за VtM9 + фон. Node5 potentila вирішується ворота M6, тому було б VtM6 + VonM6 [/ цитата] Шановні ambreesh, ви маєте рацію, в цій структурі, з моєї моделювання, я знаходжу, що я не можу гарантувати транзистор M9 (згаданих в статті) робота в потрібний стан. Потенціал Node6 менше VtM9 + фон. Тобто, транзисторів М8 і М13 (згаданих в статті) іноді працюють в лінійному. Так що питання може бути в підсилювачі. Але я спробував видалити каскодной транзисторів М6 і М7, проблема не зникає.

 

[ambreesh]

Дорогий Джейк, якщо ми спостерігаємо в increse опорного напруги з температурою одна річ напевно зворотного зв'язку не контролює. U, мВт, а всі інші, хто брав участь в обговоренні погодилися б, що VBE буде зменшуватися зі зростанням температури. Так що, якщо Vref зростає означає, що ми збільшення струму в ці ноги. Як тільки increse в поточному призведе до increse в VBE, а також ІЧ-краплі. Ми повинні з'ясувати, чому це поточна incresing в ногах. А потім дбати про responcible елемента. Сподіваюся, це допоможе