плутати про вибравши обладнання (дійсно засмучений)

[go2tariq]

Привіт усім, я працюю з електронікою будучи новачком. Напевно, хтось тут, щоб допомогти мені. Мій частота дискретизації становить 5000 S / s. Я хочу зробити схему (підсилювач), який виявляє струм, що протікає навколо 1FA. Будь ласка, хто допоможе мені дізнатися, як вибрати компоненти, щоб зробити ток людей інтегратор використання 10pF кришка для інтегратора Я не розумію, чому. Що таке частотою зрізу в даному випадку застосувати фільтр.

 

[FvM]

На жаль, ви не встигли ще сказати свої наміри в зрозумілому вигляді, і у ваших попередніх нитку, де ви накидав схема підсилювача заряду. Зокрема, я не розумію сенсу 5000 S / S швидкості. Струм 1 / д (10e-15) correspondends до 6250 електронів в секунду. Вибірка вимірювання з 5000 результатів Гц приблизно в 1 електрон на зразок. Таким чином, ви насправді мова йде про підрахунок одиночних електронів. Цілком можливо, наприклад, з мультиплікаторами електронного каналу, але не з зарядом підсилювачі, я боюся. Струми в діапазоні / А може бути виміряна з регулярними підсилювачі в набагато повільніше масштабі часу, з про декілька час вимірювання секунди.

 

[go2tariq]

Дякуємо за вашу допомогу. Я використовував зворотний опір розряду конденсатора, але проблема з використанням резистора я струму виходу. Скажімо, якщо я відправлю синусоїдальної хвилі, пройшовши через підсилювач я отримаю синусоїда які мене не цікавлять. Нехай говорять заряджених кульки, якщо я відмовитися від цієї кульки (негативно заряджених) в датчик, і я отримую синусоїдальної хвилі, як результат, і я не змогла обчислити напруги. Мені потрібно, щоб обчислити напруга в принципі.

 

[FvM]

Я думаю, ви повинні вказати типові вхідного сигналу, щоб проілюструвати вимоги обробки сигналу. Вони не цілком ясно. Показано схема може бути або розуміти як НЧ-фільтр, або втратами інтегратор, в залежності від вашої основний інтерес. Для поточного вхідного сигналу, R1 буде пропущено, тому що ви отримаєте класичну схему підсилювача заряду.

 

[go2tariq]

Так, це інтегратора. Я використовую це як інтегратор Я просто говорю про це діаграму, щоб показати, що з допомогою зворотного опір отримуємо синусоїда знову, але я зацікавлений, щоб отримати напруга на кінці. Не могли б ви допомогти мені, щоб перейти до розряду кришки замість використання зворотного опір.

 

[FvM]

На жаль, я не розумію, де ви очікуєте отримати синусоїди. Я також не бачу необхідності для виконання інтегратор в основне застосування підсилювача заряду, як ви описали його.

 

[go2tariq]

Ну, якщо я не використовую перейти до розряді конденсатора буде насичувати. Я не хочу використовувати зворотний опору. І якщо я не використовую зворотний опору в результаті є необхідність перейти до розряду кришка не це.

 

[FvM]

Я не хочу використовувати зворотний опору. І якщо я не використовую зворотний опору в результаті є необхідність перейти до розряду кришка не так.

Так, але чому ви не хочете, резистор зворотного зв'язку?

 

[go2tariq]

Добре дозвольте мені пояснити вам після використання зворотного резистор результат, як синусоїда. і кришка тільки я отримую тільки позитивні або негативні піку. Ось чому я не хочу використовувати зворотний опору.

Так, але чому ви не хочете, резистор зворотного зв'язку

?

 

[FvM]

Може бути, опору був обраний занадто низьким.

 

[go2tariq]

Я використовував 50 М Ом опору з 10 PF кришки.

Можливо опору був обраний занадто низьким

.

 

[FvM]

Вони повинні бути достатньо 50 G Ом. Може бути, у вас є труднощі, щоб отримати резисторів в цьому діапазоні.

 

[go2tariq]

Ось чому мені потрібно перейти до розряду кришки. Чи знаєте ви щось про Фотон пов'язаних FET перемикач.

Вони повинні бути достатньо 50 G Ом. Може бути, у вас є труднощі, щоб отримати резисторів в цьому діапазоні.

 

[FvM]

Я думаю, ви говорите про фотоелектричних оптрони. Є кілька швидких, низька ємність типу як AQY221N2V. Але більшість схем інтегратор скидання використанні регулярних JFET або MOSFET на конденсаторі.