Як реалізувати давно пристрої каналу (компонування та схеми)?

[lovseed]

Я проектування 14-розрядний ЦАП, який вимагає, щоб використовувати довгі пристрої каналу сказати W = 6.72ul = 38u. Але модель SPICE тільки має Lmax = 10U, і ДПК також має межу макс довжина 10U. (1) Мені цікаво, чи є будуть якісь проблеми, якщо я використовую такий довгий пристрої каналу. (2) А як щодо макет? Просто зробити довгий канал або зі складеними ворота, представлені в папір? що буде перевага чи недолік? BR

 

[archillios]

залежить від вашої технології. Ви можете використовувати змію pdiff, під всю площу воріт полі. Такі пристрої давно-канал використовується як лінійний резистор, чи не так?

 

[jerryzhao]

Я звертаю MOS в серії (модель SPICE тільки має Lmax = 10U), коли я схемних ПОР. Макет рази в схемні рішення. Я не, знаю, чому ви використовуєте такі пристрої в DAC. Який блок використанні такого пристрою.

 

[mists]

це довго devive каналу може бути, використовується в якості джерела струму для ЦАП поточного керма з дуже великою вихідний імпеданс.

 

[lovseed]

[Цитата = jerryzhao] Я малюю MOS в серії (модель SPICE тільки має Lmax = 10U), коли я схемних ПОР. Макет рази в схемні рішення. Я не, знаю, чому ви використовуєте такі пристрої в DAC. . Який блок використанні такого пристрою [/quote] Деякі питання про звернути MOS в ряд: (1) для серії, всі ворота пов'язані, чи не так? (2) для всіх серій, підкладки всі підключені до VDD (якщо ПМ) або просто підключити до джерела з ліквідації теле-ефект. (3) Якщо серійний номер з ПМ з W / L є N, це дійсно еквівалентна одній ПМ з Вт / (N * L)? На мій погляд, принаймні пункт (2) буде зробити деякі різниці в продуктивності. BR, чому я використовую давно пристроїв канал? Я розрахунку хв площі, необхідної для поточного джерела з INL_yield і ливарного невідповідності-параметрів. А оскільки моя конструкція 14-біт, W / L коефіцієнт дуже малий для 1LSB, які викликають дуже великий канал. Сподіваюся, що мій опис робить речі ясно.

 

[gururajb]

Я отримав те, що ви сказали щодо області ЦАП для елементарної комірки на основі INL. Я також намагаюся дизайн 10-бітний ЦАП з урахуванням INL, DNL і невідповідність параметрів. Для 1X осередки (LSB), я намагаюся використовувати два послідовно з'єднаних ПМ пристроїв. Але я не в змозі отримати правильне значення струму. Чому? З того ж ланцюга зміщення я можу отримати правильне значення струму для 2X осередку LSB. Хто-небудь може дати деякі входи.