Різниця між добре контактів і субстрату контакт в 90nano

[s3034585]

Привіт, хлопці, я використовую TSMC 90 нанотехнології і в мене є dought про різн. Між контактами підкладки і добре контакту. У моїй схемі я використовував мім конденсаторів і в той час generateing макет для них це дасть мені і контакти в макеті тепер я плутати з чого я підключити .. бо я також субстрату контакту. Чи можете ви ласка скажіть мені, де я можу з'єднати ці 2 контакти .. Спасибо заранее Тама

 

[franck]

Привіт, я не знаю, tsmc90 але якщо у вас також краватка і краватку для підкладки мім шапка мені здається, що в цьому Tekno є nwell або dnwell під мім шапку. Я думаю, ви повинні мати контакт для цього добре галстук у вашій схемі або в занадто властивостями. Крім того, деякі палубі є спеціальний символ, щоб представити цей зв'язок з dnwell. Це залежить від вас і вашої розробці якої мережі, то вам доведеться підключити це добре. Ви propably потрібно відмінити паразитної ємності на підкладку. Або, якщо вам не потрібна вона є і, можливо, опції або інший пристрій мім кришкою в колоді. А для підкладки краватку я думаю, ви добре знаєте, чому це тут! Сподіваюся, що це допомагає, Франк.

 

[s3034585]

Привіт Франк Дякуємо за вашу відповідь. як ви згадали в цій технології у мене є DNW і це добре варіант контакту за своїми властивостями ... це дозволяє добре контакту на своєму 4-х сторін .. і як в тому, що я підключений і краватка до нього. Але зараз питання полягає в тому, де я можу підключитися підкладки. Я знаю, чому вона є. Але клітини, який я використовую в цій NMOS субстратів безпосередньо пов'язана з VSS, отже, немає ніякого субстрату з'єднання, з яким у мене є, щоб зв'язати цей висновок. і якщо ви говорите про кришку мім тоді ви можете сказати, де я можу підключитися підкладки штифт в макеті .. завдяки, в adcance. тама

 

[franck]

Привіт там, "... NMOS субстратів безпосередньо пов'язана з VSS ...". Таким чином, ви повинні підключити підкладки краватку вашого мім шапку VSS. Існує багато способів мати справу з DNWELL в колоді в залежності від кожної технології. Деякі палубу визначити DNWELL, внутрішні підстави і зовнішньої поверхні. Деякі просто визначити DNWELL і зовнішньої поверхні. Деякі використовуються як залежно від пристрою. Деякі види контактів у схемі, деякі використовуються тільки властивості, деякі використовуються як, у деяких є спеціальні чарунки діода визначити dnwell, зовнішній субстрат і внутрішньої підкладки ... Так що я хочу сказати, ви повинні бути дуже обережні, як свою колоду займається DNWELL просто щоб бути впевненим, щоб не робити дурних помилок. У всякому разі у вашому випадку кришка мім, я думаю, що ви хочете PLAIN DNWELL під кришкою і так підкладки краватку тільки тут, щоб визначити ЗОВНІШНЬОГО підкладки, яка знаходиться у вашому випадку підкладка вашого NMOS так VSS. Франк.

 

[tarkyss]

як ви можете побудувати шапку? які верстви ви використовували? Вона створює також контакт, тому що в techfile визначити також контакт, як ви робили, тому я пропоную вам побудувати шапку, як TSMC запропонувати, звичайно, якщо ви впевнені, ви праві, ви можете змінити techfile, але це небезпечно