Основне питання про диференційований amplifer

R

RobertT

Guest
Коли ми одержуємо максимально гойдалки виробництва, ми повинні забезпечити кожному transisor насичення регіону?

Я зробив це дозволити хвості всіх поточних потоків через одну сторону ланцюга.Але, здається неправильним.

Спасибо

 
Ogłoszono wyniki kolejnej, 43-ciej edycji konkursu Top500 (najszybsze systemy obliczeniowe na świecie). Pierwsze miejsce na liście przypadło ponownie chińskiemu superkomputerowi Tianhe-2, zainstalowanemu w National University of Defense Technology, którego wydajność wynosi 33,86 petaflopsów (parametr Rmax), czyli tyle samo co pół roku temu, wtedy gdy ogłaszano listę Top500 oznaczoną numerem 42.

Read more...
 
Ні, коли один вхід підсилювача відмінностей стає більше, ніж інші матеріали щодо обмеження, то і буде відключення transsitor інший, то це тому, що потенціал точку, яка береться в якості підстави AC буде рости, а потім, оскільки це також є джерелом потенційної інший transsitor, U буде перетворення цього транзистора, коли від цього джерела потенційної збільшує межі певного значення.і, таким чином, висновок vout1 буде VDD і vout2 буде VDD-ID * Rd.

 
RobertT пише:

Коли ми одержуємо максимально гойдалки виробництва, ми повинні забезпечити кожному transisor насичення регіону?

 
Привіт RobertT.
Ви знаєте, чому ми повідомляємо симетричних гойдалки виробництва?Це тому, що, наприклад, коли у нас є позитивний сигнал на виході одного кінця, є негативний вихід на інший кінець вихідний, і обидва ці заходи можуть бути не більше, ніж те, що робить пристрої відрізані або не діють належним чином.Таким чином, ви не повинні перевірити вихідний розпалі, коли майже всі поточні хвостом тільки прилетів з одного боку.

Привіт,
Ezt

 
Гей,

Спасибі всім вам.Я поставив це питання тому, що я не міг зрозуміти одну проблему в книзі Разаві's.

Нижче цього ланцюга, розрахувати максимальний Swing вихідну напругу.Нижче цієї схеми є відповіддю з електронної версії відповіді на всі проблеми в цій книзі.

Тепер я розумію, як розрахувати Vout1, 2 (хв), це:

Vin, СМ Vthn

забезпечити два вхідних пристроїв залишається насиченим.

для Vout (Max), я розумію Vout (макс) = Vdd-(| Vgs3 | - | Vthp |)

Те, що я не можу зрозуміти, що відповідь Iss використовувати половину (тобто 0.5mA) для розрахунку Id3 як написано на рис.

Оскільки ми розрахунку Vout (макс.), струми двох сторін не має бути рівною.Тоді Id3 Shouldn не дорівнює 0,5 * вип.Я дійсно плутають.Це відповідь неправильна?
Вибачте, але Ви повинні увійти для перегляду цієї прихильності

 
Привіт RobertT,

Ви сказали, що можуть розуміти
Vout1, 2 (хв) = Vin, СМ-V, N (Чому Vin, см?)
Але ви не можете зрозуміти
Vout1, 2 (макс.) = VDD - (| Vsg3 | - | Vthp |)
При використанні Vin, СМ, Id = ISS / 2?
Чи є це?Чому?

 
Це тому, що для постійного струму U упередженості при умові, що обидва транзистора знаходяться в насичення, тому поточний отримує розділена між ними порівну, так що U маємо ситуацію, коли ISS / 2 потоків в обох філіях.

привіт
Amarnath

 
Амарнатх,

Я все ще втрачено тут.Отже, дозвольте мені сказати це таким чином:

Скажімо один бік виходу мінімальної напруги, якщо інша сторона виводить максимальна напруга?

У цьому випадку, якщо одна сторона Vin виходи, СМ Vthn, якщо інша сторона має вихідний Vdd-(| Vgs3 | - | Vthp |)?бамбук,

Я думаю, Vout (хв) ≈ Vin, СМ Vthn відбувається тому, що вхідний сигнал досить малий у порівнянні з Vin, см.Скажімо, якщо Vin, СМ = 1.5V.Vin1-Vin2 може бути тільки 50mV.Таким Vout (хв) приблизно дорівнює Vin, СМ Vthn.

Я не знаю, якщо зрозуміти, для це правильно.Якщо я не є.будь ласка, дайте мені знати, що це дійсно відбувається.

Я дуже розчарований мій бідний Foundation.Може бути, я переплутав деякі основні поняття.

 
Привіт RobertT,
По-перше, я думаю, ви відзначити одну річ.Сигнал inculde частиною постійного і ACpart.Таким чином, ви можете divid вхідного сигналу на дві частини: CM рівня і диференційованому рівні.
При розробці О.П., він використовується для підсилювача малого сигналу варіюється на рівні КМ.Отже, коли ви розрахунку параметрів заснований на тому умови, щоб зберегти MOS по насиченості регіону.У значної частини сигналу ви побачите id1 = ID2 = ISS / 2 (СМ рівня)
Якщо ви користуєтеся великим (Vin1-Vin2) в якості внеску, я думаю, що це стало ciruit компаратор НЕ ФП.У цьому стані, я не думаю, що вихідний Swing дозволить збити з пантелику.

 
EN, максимальний і мінімальний має на увазі диференціальний вихідний, тому він не схожий на один вузол приймає максимальні й інший вузол буде мати мінімальне значення, насправді, вони не повторювалися в той же час.

Я думаю, краще знати, як одна сковорода транзистора в області насичення, і яким чином операції, коли малий сигнал змінного струму додали в неї.U можете бачити лінію навантаження і Vgs ІД-кривої, перехоплення, opration точках

 
You must log in or register to reply here.

Welcome to EDABoard.com

Sponsor

Back
Top