для того, щоб запобігти Psub-nwell діоді поведінки, коли напруга negetive, ізо-NMOS використовується. Тепер проблема полягає в тому, два NMOS може оксиду розрив, процес BDVds> 12 В, але Токе 150A, так Vgs
This site uses cookies to help personalise content, tailor your experience and to keep you logged in if you register.
By continuing to use this site, you are consenting to our use of cookies.