H
hitbuyi
Guest
Теплота MOSFET чи тепла MOSFET, заподіяну його провідності втрат або втрат при перемиканні? чи як? якщо тепло MOSET causd як його втрати провідності і втрати перемикання, яка домінує причина? Дякую і Rg.
Navigation
Install the app
How to install the app on iOS
Follow along with the video below to see how to install our site as a web app on your home screen.
Note: This feature may not be available in some browsers.
More options
You are using an out of date browser. It may not display this or other websites correctly.
You should upgrade or use an alternative browser.
You should upgrade or use an alternative browser.
F
FvM
Guest
Взагалі обидва. Легко зменшити втрати провідності, використовуючи велику площу FET. На жаль, втрати перемикання, як правило, збільшується. Переключення втрати можуть бути зведені до мінімуму проте по налаштуванню ворота сигналів. Також резонансної топології (ZCS або ZVS) є одним із способів для її зниження.
H
hitbuyi
Guest
тут формули для розрахунку провідності втрат і втрат при перемиканні?
A
andre_teprom
Guest
Проведення втрати можуть бути оцінені інтеграції струм (IDS) від напруги (VDS) з часом. Однак, втрати перемикання важче, тому що залежить від воріт потенціал водія. (Повільніше швидкості наростання вихідної напруги збільшується тривалість comutation і так, дисипація тривалість) + + +