Будь-які коментарі з цього приводу?

[Syukri]

Це мій дизайн Х-небудь ... я можу отримати будь-які коментарі по ньому .. це добре чи погано
Вибачте, але Ви повинні увійти для перегляду цієї прихильності

 

[Syukri]

Нижче моделювання з використанням BSIM3 ..

Спасибо заранее
Вибачте, але Ви повинні увійти для перегляду цієї прихильності

 

[rfsystem]

Спробуйте поставити PMOS і NMOS в межах одного рядка.У зв'язку з вище ДРК відстані свердловин активним Ви повинні одержати більш компактний дизайн

 

[sunking]

PMOS об'єднати разом.

 

[philipwang]

Шановні Syukri,
1.Спробуйте розробити більш компактно, площа макета пов'язана з ціною безпосередньо,

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_biggrin.gif" alt="Дуже веселий" border="0" />

;
2.Намагайтеся уникати воріт поле слідом, металевих воріт, і все може бути використаний як поєднати лінією, але їх R різні, тому намагайся уникнути відстеження через поле.

Б.Г.,

 

[Yun Lin]

1.Намалюйте PMOS і NMOS в два ряди.
2.Відрегулюйте ланцюга згідно з макетом.
3.Зменшення макет області, як ви можете (область гроші)
4.Уникайте використовувати прийоми як з'єднати дроти.

 

[Syukri]

Велике спасибі хлопці ..

Це мій перший X-або дизайн, я зробив нову з PMOS, що одні й ті ж nwell.

Я подумала, що якщо я наказав усім транзистора на одному рядку, це не є хорошою ідеєю мого Coz СК буде lengthly ... і тому я поставив останній нижче ..

Спасибі, що дали, щоб я поклав його в рядок ..

Про це поле, у мене немає маршрутизатора, так що якщо я хочу використовувати металеві швидше більше, ніж поле то мій проект буде більше, а якщо я використовую кілька шарів, моя switcihng час буде зростати завдяки збільшенню capacitane.

Я зростанням величини опору на мою схему, тому що я хотів низького енергоспоживання

Р = Vdd ˛. Cf
де F = 1 / τ і С = τ / R

результатом Р = Vdd ˛ / R

тим вище опір буде робити моїй владі правому нижньому кутку?

Ant прокоментувати моделювання?Чому це має напругу падіння і підйоми на якесь місце, де ще це має бути високим або низьким?