Аналіз Корнер

[banosey]

Привіт,

Я хочу знати, що мається на увазі під кутом аналізу фізично.Іншими словами, що таке слід (швидкий fsat), т. (повільно повільно), і так далі.Що відбувається з MOS або резистор в ці кути.

спасибі заздалегідь.

 

[hakeen]

У структурах MOS FF СС і т.д. використовуються для перегляду різних сценаріїв.FF означає оперативну МОП NMOS швидко, С. робить повільний NMOS повільним МОП і аналогічні триває.Ви можете побачити ці тести можуть бути різної процесу, напруги, температури.Таким чином soemtimes це називається PVT аналізу.

Насправді вже є одна дискусія про кутку аналіз відповідно до
ftopic216990.html

Сподіваюся, що це може пояснити, краще і глибше, ніж моя коротке пояснення вище

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_smile.gif" alt="Посмішка" border="0" />Ура

 

[banosey]

hakeen завдяки вашій допомозі, але я просто хочу знати, фізичні ефекти, які відбуваються з пристроями через кути (тобто те, що відбувається в області мобільності, порогове напруга, і т.д.)

 

[hakeen]

Ви привітні.

Я знаю, у разі MOS фізичного впливу при використанні, швидко чи повільно безпосередньо мобільності.За швидкої мобільності буде вища, і, отже, відьом швидше, тоді як повільно це займе більше часу.Звичайно, критичних випадках, наприклад, для CMOS процес нерівномірного випадках.Які ПС, SF і відомій як "перекіс" кути.

Для резисторів логікою мають бути однаковими.Але, як Пасивне пристрій Думаю, мінлива опору.

Я не знаю, хороший джерело для одержання більш докладної expalantion.Може бути, деякі книги дизайн НВІС.

Вибачте.